Power Terminals 垫片 项目编号 910-20320
技术数据
基础知识
| 工作温度 | -55°C 至 +125°C |
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材料
| 联系材料 | 铜合金 |
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加工
| 主题 | M4 |
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认证/符合性
| 环境 | 符合RoHS标准 |
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孔规格
| Material | chem. Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.6 mm |
| A Leiterplattendicke | 最小 2.9 毫米 |
| B Endloch | Ø 1.6 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.75 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.6 mm |
| A Leiterplattendicke | 最小 2.9 毫米 |
| B Endloch | Ø 1.6 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.75 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.6 mm |
| A Leiterplattendicke | 最小 2.9 毫米 |
| B Endloch | Ø 1.6 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.75 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
层结构符合 IEC 60352-5 标准